Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Quad-Level Cell (QLC)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Schlafmodus, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Leistung
Interner Datendurchsatz
560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
11000 IOPS
4 KB Random Write
35000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
98000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
3.3 Watt (Durchschnitt)
5.5 Watt (Maximum)
0.045 Watt (Leerlauf)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 3 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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