Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Merkmale
3-bit 3D V-NAND Technology, Samsung MKX Controller, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Worldwide Name (WWN), Low Power DDR4 SDRAM Cache, TurboWrite Technology, Schlafmodus, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Leistung
Übertragungsrate Laufwerk
600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz
560 MBps (lesen)/ 530 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
13000 IOPS
4 KB Random Write
36000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
98000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
2.2 Watt (Durchschnitt)
3.5 Watt (Maximum)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
WWN, IEEE 1667
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 150 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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