Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
DMA unterstützt, TRIM-Unterstützung, Over Provision, Host Memory Buffer (HMB), NVM Express (NVMe) 1.4, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
5000 MBps (lesen)/ 3800 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Verschiedenes
Kennzeichnung
FCC, RoHS, UKCA
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Product safety information
Manufacturer information:
G.B.T. Technology Trading GmbH
Am Stadtrand 63
Hamburg, Deutschland, 22047
info_gbt@gigabyte.de
www.gigabyte.com/de
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