Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
U.2 PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Halogen Free, Dynamic and Static Wear Leveling, Enhanced Power Loss Data Protection, End-to-End-Datenschutz, NVM Express (NVMe) 1.4, S.M.A.R.T.
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 3500 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
200000 IOPS
Mittlere Wartezeit
0.02 ms
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 3.0 x4 U.2 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
11 Watt (Lesen)
13.5 Watt (Schreiben)
3.5 Watt (Leerlauf)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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