Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Leistung
Interner Datendurchsatz
5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
85000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8.2 Watt (Lesen)
8.2 Watt (Schreiben)
2.5 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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