Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Merkmale
Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology
Leistung
Details zur Datenübertragungsgeschwindigkeit
Serial ATA: 600 MB/s
Interner Datendurchsatz
550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
98000 IOPS
4 KB Random Write
30000 IOPS
Zuverlässigkeit
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x SATA 6 Gb/s
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
2.1 Watt (Lesen)
3.2 Watt (Schreiben)
1.3 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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