In generale
Tipo di dispositivo
Unità a stato solido - interna
Algoritmo di crittografia
aES a 256 bit
Tipo di memoria flash NAND
Multi-Level Cell (MLC)
Dissipatore di calore integrato
Sì
Fattore di forma
M.2 2280
Interfaccia
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Caratteristiche
Tecnologia Samsung V-NAND 3bit MLC, supporto TRIM, supporto modalità sospensione dispositivo, tecnologia Garbage Collection, 2 GB di cache SDRAM DDR4 a basso consumo, S.M.A.R.T.
Prestazioni
Velocità di trasferimento dati interna
7450 MBps (lettura)/ 6900 MBps (scrittura)
Massimo 4 KB di scrittura casuale
1550000 IOPS
Massimo 4 KB di lettura casuale
1600000 IOPS
Affidabilità
Espansione e connettività
Interfacce
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Pannello di interfaccia compatibile
M.2 2280
Alimentazione
Consumo energetico
5.5 watt (media)
55 mW (inattivo)
Software e requisiti di sistema
Software incluso
Software Samsung Magician
Varie
Condizioni ambientali
Temperatura minima di esercizio
0 °C
Temperatura di esercizio max
70 °C
Tolleranza agli urti (in funzione)
0,5 ms semionde sinusoidali
Tolleranza agli urti (non in funzione)
1500 g
Informazioni sulla sicurezza del prodotto
Informazioni sul produttore:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
Non ci sono ancora recensioni.
German
English
