Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.5 Watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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