Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Schlafmodus, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Leistung
Übertragungsrate Laufwerk
8 GBps (extern)
Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
1400000 IOPS
4 KB Random Write
1550000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.8 Watt (Lesen)
5.1 Watt (Schreiben)
55 mW (Leerlauf)
5 mW (L1.2-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1200 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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