Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
19000 IOPS
4 KB Random Write
60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write
550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
600000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
6 Watt (Durchschnitt)
9 Watt (Maximum)
30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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