Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, 3D NAND Technology, SLC-Cache, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
2100 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Umgebungsbedingungen
Schocktoleranz (in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Intenso International GmbH
Gutenbergstraße 2
Baden-Württemberg
Vechta, Deutschland, 49377
support@intenso-international.de
www.intenso.de
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