Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, SLC-Cache, Advanced LDPC ECC Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, externer DDR3L DRAM Cache, S.M.A.R.T.
Leistung
Interner Datendurchsatz
3500 MBps (lesen)/ 2600 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
350000 IOPS
4 KB Random Write
302000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
5.9 Watt (Lesen) ¦ 5 Watt (Schreiben) ¦ 9 mW (Inaktivität Minuten) ¦ 900 mW (Inaktivität Maximum)
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
G.B.T. Technology Trading GmbH
Am Stadtrand 63
Hamburg, Deutschland, 22047
info_gbt@gigabyte.de
www.gigabyte.com/de
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