In generale
Tipo di dispositivo
Unità a stato solido - interna
Algoritmo di crittografia
aES a 256 bit
Tipo di memoria flash NAND
TLC (Triple-Level Cell)
Fattore di forma
M.2 2280
Interfaccia
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Caratteristiche
Tecnologia Intelligent TurboWrite, tecnologia Samsung V-NAND TLC, supporto per la sospensione del dispositivo, Host Memory Buffer (HMB), supporto TRIM, algoritmo di raccolta automatica dei dati obsoleti, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Prestazioni
Velocità di trasferimento dati interna
7150 MBps (lettura)/ 6300 MBps (scrittura)
Massimo 4 KB scrittura casuale
1350000 IOPS
Massimo 4 KB di lettura casuale
850000 IOPS
Affidabilità
Espansione e connettività
Pannello di interfaccia compatibile
M.2 2280
Alimentazione
Consumo energetico
4.3 Watt (lettura)
4.2 Watt (scrittura)
60 mW (standby)
5 mW (modalità sleep)
Software e requisiti di sistema
Software incluso
Software Samsung Magician
Varie
Materiale della custodia
Rivestimento in nichel
Garanzia del produttore
Assistenza e supporto
Garanzia limitata - 5 anni / 600 TBW
Condizioni ambientali
Temperatura minima di esercizio
0 °C
Temperatura operativa massima
70 °C
Tolleranza agli urti (non in funzione)
1500 g @ 0,5 ms
Tolleranza alle vibrazioni (non in funzione)
20 g @ 20-2000 Hz
Informazioni sulla sicurezza del prodotto
Informazioni sul produttore:
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
Baden-Württemberg
Schwalbach am Taunus, Deutschland, 65824
kundenbetreuung@samsung.de
https://www.samsung.com/de/
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