Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Schnittstelle
PCIe 3.1 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Idle Time Garbage Collection, 3D BiCS Flash, NVM Express (NVMe) 1.3c
Leistung
Interner Datendurchsatz
2100 MBps (lesen)/ 1700 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
400000 IOPS
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 3.1 x4 (NVMe) - M.2 Key M
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
3.5 Watt (aktiv)
Verschiedenes
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
85 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
KIOXIA Europe GmbH
Hansaallee 181
Baden-Württemberg
Düsseldorf, Deutschland, 40549
KIE-support@kioxia.com
www.kioxia.com/de-de
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