Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCIe (NVMe)
Merkmale
3D NAND Technology, NVM Express (NVMe)
Leistung
Interner Datendurchsatz
2100 MBps (lesen)/ 1800 MBps (Schreiben)
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Verschiedenes
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
Innovation IT
Carl-Miele-Straße 3
Braunschweig, Deutschland, 38112
info@innovationit.de
www.innovationit.de
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