Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
232-Layer TLC NAND Technologie, 4 GB LPDDR4 DRAM Cache, NVM Express (NVMe) 2.0, Phison PS5026-E26
Leistung
Interner Datendurchsatz
14500 MBps (lesen)/ 12700 MBps (Schreiben)
Zuverlässigkeit
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch
144 mW (Leerlauf)
85 mW (L1.2-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen
Gigabyte Control Center
Herstellergarantie
Service und Support
Begrenzte Garantie - 5 Jahre / 1400 TBW
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Angaben zur Produktsicherheit
Herstellerinformationen:
G.B.T. Technology Trading GmbH
Am Stadtrand 63
Baden-Württemberg
Hamburg, Deutschland, 22047
info_gbt@gigabyte.de
https://www.gigabyte.com/de
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